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Fairchild、エネルギー損失を30％削減したIGBTを開発 - 日経テクノロジーオンライン
日経テクノロジーオンライン | Fairchild、エネルギー損失を30％削減したIGBTを開発 日経テクノロジーオンライン 米Fairchild Semiconductor社は、同社従来品に比べてエネルギー損失を30％削減した＋600V耐圧と＋1200V耐圧のIGBT（insulated gate bipolar transistor）を開発した。フィールドストップ（FS）構造を採用するIGBTで、同社の第4世代品に当たる。太陽光発電システム向け ... |
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