日経テクノロジーオンラインFairchild、エネルギー損失を30％削減したIGBTを開発日経テクノロジーオンライン米Fairchild Semiconductor社は、同社従来品に比べてエネルギー損失を30％削減した＋600V耐圧と＋1200V耐圧のIGBT（insulated gate bipolar transistor）を開発した。フィールドストップ（FS）構造を採用するIGBTで、同社の第4世代品に当たる。太陽光発電システム向け ...and more » Read …