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日立がEV向けSiCパワー半導体、耐久性向上とエネルギー損失半減を両立 - ＠IT MONOist
＠IT MONOist | 日立がEV向けSiCパワー半導体、耐久性向上とエネルギー損失半減を両立 ＠IT MONOist 日立製作所は2018年8月30日、電界強度を40％低減し、エネルギー損失を半減させる高耐久性構造の車載向けSiC（炭化ケイ素）パワー半導体「TED-MOS」を開発したと発表した。SiCトランジスタで一般的なDMOS-FETを基本構造とし、ヒレ状のトレンチを形成した新構造「Fin ... 日立製作所：電気自動車のモーター駆動省エネ化に貢献する 高耐久性構造SiCパワー半導体"TED-MOS"を開発 |
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